MOS即MOSFET全称金属氧化膜绝缘栅型场效应管，有门极Gate,源极Source,漏极Drain.通过给Gate加电压产生电场控制S/D之间的沟道电子或者空穴密度（或者说沟道宽度）来改变S/D之间的阻抗。这是一种简单好用，接近?想的电压控制电?源电晶体

它具以下特点:开关速?快、高频?性能好，输入阻抗高、驱动功?小、热稳定

性优?、无二次击穿问题、全工作区宽、工作线性?高等等，其最重要的优点

就是能够减少体积大小与重?，提供给设计者一种高速?、高功?、高电压、

与高增益的元件。在各?中小功?开关电?中应用极为广泛。

MOS又分为?种，一种为耗尽型（Depletion MOS），另一种为增强型

（Enhancement MOS）。这?种型态的结构没有太大的差?，只是耗尽型MOS一

开始在Drain-Source的通道上就有载子，所以即使在VGS为?的情况下，耗尽型

MOS仍可以导通的。而增强型MOS则必须在其VGS大於某一特定值才能导通。

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