ITO导电膜是一种具有导电功能的氧化铟锡薄膜，基材通常为PET材质，是在PET薄膜上形成以稀有金属In（铟）为主要原料的ITO（Indium Tin Oxide）靶材而制成的。作为一种n型半导体材料，ITO导电膜具有较高的自有载流子浓度（电阻率低）、禁带宽度1、可见光谱区光透射率高等光学特征，基于透光率和导电性能较好，ITO导电膜被广泛应用于平板显示器件、太阳能电池等诸多领域。 ITO导电膜的主要特性包括：（1）导电性能好，电阻率可达10-4Ω? cm；（2）可见光透光率高，可达85%以上；（3）对紫外线具有吸收性，吸收率在85%以上；（4）对红外线具有反射性，反射率在80%以上；（5）对微波具有衰减性，衰减率也可达85%（6）薄层硬度高，耐磨，耐化学腐蚀；（7）膜层加工性能好，便于刻蚀等。高的可见光透光率与相当低的电阻率结合在一起，使ITO薄膜成为目前综合性能最优异的透明导电材料之一。ITO 薄膜的制备方法有多种，主要分为两大类：物理法和化学法，物理法包括磁控溅射、真空蒸发、离子增强沉积、激光脉冲沉积等，化学法包括热解喷涂、化学气相沉积、溶胶-凝胶法等，在这些制备方法中目前使用最多的是磁控溅射法。